Name: SIR870ADP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR870ADP-T1-GE3TR-ND
Price: 76.7261 CZK
Availability: InStock

SIR870ADP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIR870ADP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIR870ADP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIR870ADP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIR870ADP-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 60A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIR870ADP-T1-GE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	60A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	6,6mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2866 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	6,25W (Ta), 104W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8
Základní číslo produktu	SIR870

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
3 000	18,82149 Kč	56 464,47 Kč
6 000	17,71706 Kč	106 302,36 Kč

Jednotková cena bez DPH:	63,41000 Kč
Jednotková cena s DPH:	76,72610 Kč

SIR870ADP-T1-GE3