Name: SIR681DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR681DP-T1-RE3TR-ND
Price: 82.9213 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIR681DP-T1-RE3
Číslo produktu DigiKey	742-SIR681DP-T1-RE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIR681DP-T1-RE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIR681DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIR681DP-T1-RE3
Popis	MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	28 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 80 V 17,6A (Ta), 71,9A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIR681DP-T1-RE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET® Gen IV
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	17,6A (Ta), 71,9A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	11,2mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,6V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	105 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4850 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	6,25W (Ta), 104W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8
Základní číslo produktu	SIR681