Name: SIR668ADP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR668ADP-T1-RE3TR-ND
Price: 92.9885 CZK
Availability: InStock

SIR668ADP-T1-RE3
Číslo produktu DigiKey	SIR668ADP-T1-RE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIR668ADP-T1-RE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIR668ADP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIR668ADP-T1-RE3
Popis	MOSFET N-CH 100V 93.6A PPAK SO-8
Standardní dodací lhůta výrobce	55 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 93,6A (Tc) 104W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIR668ADP-T1-RE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET® Gen IV
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	93,6A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	7,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	4,8mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3750 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	104W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8
Základní číslo produktu	SIR668

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
3 000	23,68917 Kč	71 067,51 Kč
6 000	23,02693 Kč	138 161,58 Kč

Jednotková cena bez DPH:	76,85000 Kč
Jednotková cena s DPH:	92,98850 Kč

SIR668ADP-T1-RE3