Name: SIR662DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR662DP-T1-GE3TR-ND
Price: 74.4392 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIR662DP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIR662DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIR662DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIR662DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIR662DP-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Standardní dodací lhůta výrobce	55 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 60A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIR662DP-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 96 nC @ 10 V
Řada TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 4365 pF @ 30 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 6,25W (Ta), 104W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SO-8
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 60A (Tc)	Pouzdro PowerPAK® SO-8
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu SIR662
Rds zap (max) při Id, Vgs 2,7mOhm při 20A, 10V