Name: SIR622DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR622DP-T1-GE3TR-ND
Price: 60.7299 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIR622DP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIR622DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIR622DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIR622DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIR622DP-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 150V 51.6A PPAK SO-8
Standardní dodací lhůta výrobce	42 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 51,6A (Tc) 104W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIR622DP-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4,5V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 31 nC @ 7.5 V
Řada ThunderFET®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1516 pF @ 75 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 104W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 150 V	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SO-8
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 51,6A (Tc)	Pouzdro PowerPAK® SO-8
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 7,5V, 10V	Základní číslo produktu SIR622
Rds zap (max) při Id, Vgs 17,7mOhm při 20A, 10V