Name: SIR616DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR616DP-T1-GE3TR-ND
Price: 55.1397 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIR616DP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIR616DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIR616DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIR616DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIR616DP-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8
Standardní dodací lhůta výrobce	42 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 200 V 20,2A (Tc) 52W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 28 nC @ 7.5 V
Řada ThunderFET®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1450 pF @ 100 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 52W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 200 V	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SO-8
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 20,2A (Tc)	Pouzdro PowerPAK® SO-8
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 7,5V, 10V	Základní číslo produktu SIR616
Rds zap (max) při Id, Vgs 50,5mOhm při 10A, 10V