Name: SIR5812DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR5812DP-T1-RE3TR-ND
Price: 37.6068 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIR5812DP-T1-RE3
Číslo produktu DigiKey	742-SIR5812DP-T1-RE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIR5812DP-T1-RE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIR5812DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIR5812DP-T1-RE3
Popis	MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Standardní dodací lhůta výrobce	55 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 13A (Ta), 45,3A (Tc) 4,1W (Ta), 50W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 13,5mOhm při 10A, 10V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Řada TrenchFET®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 15 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 775 pF @ 40 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 4,1W (Ta), 50W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 13A (Ta), 45,3A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SO-8
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 7,5V, 10V	Pouzdro PowerPAK® SO-8

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 5 980

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)