Name: SIR570DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR570DP-T1-RE3TR-ND
Price: 61.2502 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

SIR570DP-T1-RE3
cms-digikey-product-number	742-SIR570DP-T1-RE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIR570DP-T1-RE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIR570DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Vishay Siliconix
cms-manufacturer-product-number	SIR570DP-T1-RE3
cms-description	N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
cms-standard-lead-time	10 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-kanál 150 V 19A (Ta), 77,4A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
cms-datasheet	cms-datasheet

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET® Gen V
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	150 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	19A (Ta), 77,4A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	7,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	7,9mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	71 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3740 pF @ 75 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	6,25W (Ta), 104W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8

Jednotková cena bez DPH:	50,62000 Kč
Jednotková cena s DPH:	61,25020 Kč

SIR570DP-T1-RE3