Name: SIR5208DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR5208DP-T1-RE3TR-ND
Price: 40.656 CZK
Availability: InStock

SIR5208DP-T1-RE3
Číslo produktu DigiKey	742-SIR5208DP-T1-RE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIR5208DP-T1-RE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIR5208DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIR5208DP-T1-RE3
Popis	N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET 150C
Standardní dodací lhůta výrobce	19 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 20 V 48A (Ta), 165A (Tc) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET® Gen V
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	48A (Ta), 165A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	2,5V, 8V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,3mOhm při 10A, 8V
Vgs(th) (max) při Id	1,3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	68 nC @ 10 V
Vgs (max)	+8V, -7V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4100 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	4,8W (Ta), 56,8W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8

Jednotková cena bez DPH:	33,60000 Kč
Jednotková cena s DPH:	40,65600 Kč

SIR5208DP-T1-RE3