Name: SIR4409DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR4409DP-T1-RE3TR-ND
Price: 48.279 CZK
Availability: InStock

SIR4409DP-T1-RE3
Číslo produktu DigiKey	742-SIR4409DP-T1-RE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIR4409DP-T1-RE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIR4409DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIR4409DP-T1-RE3
Popis	P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Standardní dodací lhůta výrobce	31 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 40 V 17,2A (Ta), 60,6A (Tc) 4,8W (Ta), 59,5W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIR4409DP-T1-RE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	17,2A (Ta), 60,6A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	9mOhm při 15A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	126 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5670 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	4,8W (Ta), 59,5W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
3 000	10,98300 Kč	32 949,00 Kč
6 000	10,28902 Kč	61 734,12 Kč

Jednotková cena bez DPH:	39,90000 Kč
Jednotková cena s DPH:	48,27900 Kč

SIR4409DP-T1-RE3