Name: SIR418DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR418DP-T1-GE3TR-ND
Price: 51.5823 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIR418DP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIR418DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIR418DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIR418DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIR418DP-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Standardní dodací lhůta výrobce	38 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 40A (Tc) 39W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,4V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 75 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2410 pF @ 20 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 39W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 40A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SO-8
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro PowerPAK® SO-8
Rds zap (max) při Id, Vgs 5mOhm při 20A, 10V	Základní číslo produktu SIR418