Name: SIJH5800E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJH5800E-T1-GE3TR-ND
Price: 192.2932 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIJH5800E-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SIJH5800E-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIJH5800E-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIJH5800E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIJH5800E-T1-GE3
Popis	N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce	55 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 30A (Ta), 302A (Tc) 3,3W (Ta), 333W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 8x8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIJH5800E-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 1,35mOhm při 20A, 10V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Řada TrenchFET®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 155 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 7730 pF @ 40 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 3,3W (Ta), 333W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 30A (Ta), 302A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® 8x8
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 7,5V, 10V	Pouzdro PowerPAK® 8x8