SIHP22N65E-GE3 je k dispozici pro nákup, avšak není běžně skladem.
Dostupné náhrady:

Similar


onsemi
Skladem : 1 429
Jednotková cena : 4,35000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 569
Jednotková cena : 4,78000 Kč
Katalogový list

Similar


Rochester Electronics, LLC
Skladem : 56 890
Jednotková cena : 1,83336 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 2,99747 Kč

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 4,18290 Kč

Similar


IXYS
Skladem : 254
Jednotková cena : 6,91000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 1 814
Jednotková cena : 4,51000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 670
Jednotková cena : 3,66000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 373
Jednotková cena : 3,92000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 950
Jednotková cena : 4,11000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 49
Jednotková cena : 3,46000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 315
Jednotková cena : 4,31000 Kč
Katalogový list
N-kanál 650 V 22A (Tc) 227W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIHP22N65E-GE3

Číslo produktu DigiKey
SIHP22N65E-GE3-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SIHP22N65E-GE3
Popis
MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB
Standardní dodací lhůta výrobce
22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 22A (Tc) 227W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
SIHP22N65E-GE3 Modely
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Mfr
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
110 nC @ 10 V
Balení
Trubice
Vgs (max)
±30V
Stav součásti
Aktivní
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2415 pF @ 100 V
Typ tranzistoru FET
Rozptylový výkon (Max)
227W (Tc)
Technologie
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Způsob montáže
Průchozí otvor
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220AB
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Pouzdro
Rds zap (max) při Id, Vgs
180mOhm při 11A, 10V
Základní číslo produktu
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (12)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
FCP190N60Eonsemi1 429FCP190N60EOS-ND4,35000 KčSimilar
FCP190N65Fonsemi569FCP190N65F-ND4,78000 KčSimilar
IPP65R190E6XKSA1Rochester Electronics, LLC56 8902156-IPP65R190E6XKSA1-ND1,83336 KčSimilar
IXFP30N60XIXYS0IXFP30N60X-ND2,99747 KčSimilar
IXKP24N60C5IXYS0IXKP24N60C5-ND4,18290 KčSimilar
K dispozici pro objednání
Zkontrolovat dodací lhůtu
Tento produkt není veden skladem u společnosti DigiKey. Uvedená dodací lhůta se bude vztahovat na dodávku od výrobce do společnosti DigiKey. Společnost DigiKey expeduje produkt po jeho obdržení a vyřídí tak otevřené objednávky.
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1 00043,27516 Kč43 275,16 Kč
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:43,27516 Kč
Jednotková cena s DPH:52,36294 Kč