N-kanál 500 V 10,5A (Tc) 114W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIHP12N50E-GE3

Číslo produktu DigiKey
SIHP12N50E-GE3-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SIHP12N50E-GE3
Popis
MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220AB
Standardní dodací lhůta výrobce
22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 500 V 10,5A (Tc) 114W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
SIHP12N50E-GE3 Modely
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Mfr
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
50 nC @ 10 V
Balení
Trubice
Vgs (max)
±30V
Stav součásti
Aktivní
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
886 pF @ 100 V
Typ tranzistoru FET
Rozptylový výkon (Max)
114W (Tc)
Technologie
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
500 V
Způsob montáže
Průchozí otvor
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220AB
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Pouzdro
Rds zap (max) při Id, Vgs
380mOhm při 6A, 10V
Základní číslo produktu
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Skladem: 976
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
157,77000 Kč57,77 Kč
5028,40940 Kč1 420,47 Kč
10025,54800 Kč2 554,80 Kč
50020,52890 Kč10 264,45 Kč
1 00018,91552 Kč18 915,52 Kč
2 00017,55908 Kč35 118,16 Kč
5 00016,09210 Kč80 460,50 Kč
10 00015,64163 Kč156 416,30 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:57,77000 Kč
Jednotková cena s DPH:69,90170 Kč