Name: SIHFL9014TR-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHFL9014TR-GE3TR-ND
Price: 31.5447 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIHFL9014TR-GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SIHFL9014TR-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIHFL9014TR-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIHFL9014TR-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIHFL9014TR-GE3
Popis	MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 1,8A (Tc) 2W (Ta), 3,1W (Tc) Montáž na povrch SOT-223
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 12 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 270 pF @ 25 V
Typ tranzistoru FET P-kanál	Rozptylový výkon (Max) 2W (Ta), 3,1W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 1,8A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra SOT-223
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro TO-261-4, TO-261AA
Rds zap (max) při Id, Vgs 500mOhm při 1,1A, 10V	Základní číslo produktu SIHFL9014

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 4 768

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)