Nastavení
Rychlé dodání
Dodávka zdarma
Incoterms
Typy plateb
Produkt služby Marketplace
SIHD5N50D-GE3 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:
MFR Recommended
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
SIHD5N50D-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIHD5N50D-GE3-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHD5N50D-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252AA |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 500 V 5,3A (Tc) 104W (Tc) Montáž na povrch DPAK |
Katalogový list | Katalogový list |
Vlastnosti produktu
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | - | |
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Zastaralé | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 500 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 1,5Ohm při 2,5A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 5V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 20 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 325 pF @ 100 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 104W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | DPAK | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
Zastaralý
Česká republika