MFR Recommended
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

SIHD5N50D-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIHD5N50D-GE3-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHD5N50D-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252AA |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 500 V 5,3A (Tc) 104W (Tc) Montáž na povrch DPAK |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 5V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 20 nC @ 10 V |
Balení Trubice | Vgs (max) ±30V |
Stav součásti Zastaralé | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 325 pF @ 100 V |
Typ tranzistoru FET | Rozptylový výkon (Max) 104W (Tc) |
Technologie | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 500 V | Způsob montáže Montáž na povrch |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Dodávaná velikost pouzdra DPAK |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Pouzdro |
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,5Ohm při 2,5A, 10V | Základní číslo produktu |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF830PBF | Vishay Siliconix | 2 357 | IRF830PBF-ND | 71,95000 Kč | MFR Recommended |
| FDD5N50NZTM | onsemi | 4 698 | FDD5N50NZTMCT-ND | 36,08000 Kč | Similar |
| RJK5030DPD-00#J2 | Renesas Electronics Corporation | 0 | RJK5030DPD-00#J2-ND | 16,03892 Kč | Similar |
| STD5N52K3 | STMicroelectronics | 0 | 497-10957-1-ND | 41,29000 Kč | Similar |
| STD5N52U | STMicroelectronics | 3 109 | 497-10017-1-ND | 37,96000 Kč | Similar |






