N-kanál 550 V 10,5A (Tc) 114W (Tc) Montáž na povrch DPAK
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIHD12N50E-GE3

Číslo produktu DigiKey
SIHD12N50E-GE3-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SIHD12N50E-GE3
Popis
MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK
Standardní dodací lhůta výrobce
24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 550 V 10,5A (Tc) 114W (Tc) Montáž na povrch DPAK
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Mfr
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
50 nC @ 10 V
Řada
Vgs (max)
±30V
Balení
Trubice
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
886 pF @ 100 V
Stav součásti
Aktivní
Rozptylový výkon (Max)
114W (Tc)
Typ tranzistoru FET
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TA)
Technologie
Způsob montáže
Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
550 V
Dodávaná velikost pouzdra
DPAK
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Pouzdro
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Základní číslo produktu
Rds zap (max) při Id, Vgs
380mOhm při 6A, 10V
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Skladem: 2 462
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
156,90000 Kč56,90 Kč
1036,57900 Kč365,79 Kč
10025,03380 Kč2 503,38 Kč
50020,09382 Kč10 046,91 Kč
1 00018,50533 Kč18 505,33 Kč
3 00016,48952 Kč49 468,56 Kč
6 00015,47567 Kč92 854,02 Kč
12 00015,22355 Kč182 682,60 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:56,90000 Kč
Jednotková cena s DPH:68,84900 Kč