
SIHD12N50E-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIHD12N50E-GE3-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHD12N50E-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK |
Standardní dodací lhůta výrobce | 24 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 550 V 10,5A (Tc) 114W (Tc) Montáž na povrch DPAK |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 50 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±30V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 886 pF @ 100 V |
Stav součásti Aktivní | Rozptylový výkon (Max) 114W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TA) |
Technologie | Způsob montáže Montáž na povrch |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 550 V | Dodávaná velikost pouzdra DPAK |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 380mOhm při 6A, 10V |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 56,90000 Kč | 56,90 Kč |
| 10 | 36,57900 Kč | 365,79 Kč |
| 100 | 25,03380 Kč | 2 503,38 Kč |
| 500 | 20,09382 Kč | 10 046,91 Kč |
| 1 000 | 18,50533 Kč | 18 505,33 Kč |
| 3 000 | 16,48952 Kč | 49 468,56 Kč |
| 6 000 | 15,47567 Kč | 92 854,02 Kč |
| 12 000 | 15,22355 Kč | 182 682,60 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 56,90000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 68,84900 Kč |

