Name: SIHB20N50E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB20N50E-GE3-ND
Price: 115.071 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIHB20N50E-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIHB20N50E-GE3-ND
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIHB20N50E-GE3
Popis	MOSFET N-CH 500V 19A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 500 V 19A (Tc) 179W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 92 nC @ 10 V
Balení Hromadné balení	Vgs (max) ±30V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1640 pF @ 100 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 179W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 500 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 19A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra TO-263 (D2PAK)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Rds zap (max) při Id, Vgs 184mOhm při 10A, 10V	Základní číslo produktu SIHB20

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 2 230

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Hromadné balení

Standardní balení výrobce

Jednotková cena bez DPH:	95,10000 Kč
Jednotková cena s DPH:	115,07100 Kč

SIHB20N50E-GE3