Nastavení
Rychlé dodání
Dodávka zdarma
Incoterms
Typy plateb
Produkt služby Marketplace
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
SIHB12N65E-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIHB12N65E-GE3-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHB12N65E-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK |
Standardní dodací lhůta výrobce | 22 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 12A (Tc) 156W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK) |
Katalogový list | Katalogový list |
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 70 nC @ 10 V |
Balení Trubice | Vgs (max) ±30V |
Stav součásti Aktivní | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1224 pF @ 100 V |
Typ tranzistoru FET | Rozptylový výkon (Max) 156W (Tc) |
Technologie | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Způsob montáže Montáž na povrch |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Dodávaná velikost pouzdra TO-263 (D2PAK) |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Pouzdro |
Rds zap (max) při Id, Vgs 380mOhm při 6A, 10V | Základní číslo produktu |
Nahlásit chybu v informacích o produktu
Dokumenty a média
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Skladem: 2 816
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 80,71000 Kč | 80,71 Kč |
| 50 | 40,79760 Kč | 2 039,88 Kč |
| 100 | 36,91840 Kč | 3 691,84 Kč |
| 500 | 30,12076 Kč | 15 060,38 Kč |
| 1 000 | 27,93719 Kč | 27 937,19 Kč |
| 2 000 | 26,10181 Kč | 52 203,62 Kč |
| 5 000 | 24,68507 Kč | 123 425,35 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 80,71000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 97,65910 Kč |
