Similar
Similar
Similar
Similar

SIHA21N60EF-E3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIHA21N60EF-E3-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHA21N60EF-E3 |
Popis | MOSFET N-CH 600V 21A TO220 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 28 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 600 V 21A (Tc) 35W (Tc) Průchozí otvor Plná výzbroj TO-220 |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 84 nC @ 10 V |
Balení Trubice | Vgs (max) ±30V |
Stav součásti Aktivní | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2030 pF @ 100 V |
Typ tranzistoru FET | Rozptylový výkon (Max) 35W (Tc) |
Technologie | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V | Způsob montáže Průchozí otvor |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Dodávaná velikost pouzdra Plná výzbroj TO-220 |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Pouzdro |
Rds zap (max) při Id, Vgs 176mOhm při 11A, 10V | Základní číslo produktu |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM60NE145CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2 000 | 1801-TSM60NE145CITC0G-ND | 129,14000 Kč | Similar |
| TSM60NE180CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2 000 | 1801-TSM60NE180CITC0G-ND | 119,48000 Kč | Similar |
| TSM60NE200CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2 000 | 1801-TSM60NE200CITC0G-ND | 108,56000 Kč | Similar |
| TSM60NE285CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2 000 | 1801-TSM60NE285CITC0G-ND | 91,76000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 000 | 37,82895 Kč | 37 828,95 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 37,82895 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 45,77303 Kč |


