Name: SIDR870ADP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIDR870ADP-T1-GE3TR-ND
Price: 60.9961 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

SIDR870ADP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIDR870ADP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIDR870ADP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIDR870ADP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIDR870ADP-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC
Standardní dodací lhůta výrobce	28 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 95A (Tc) 125W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8DC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIDR870ADP-T1-GE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	95A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	6,6mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2866 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	125W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8DC
Pouzdro	PowerPAK® SO-8
Základní číslo produktu	SIDR870

Jednotková cena bez DPH:	50,41000 Kč
Jednotková cena s DPH:	60,99610 Kč

SIDR870ADP-T1-GE3