Name: SIDR870ADP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIDR870ADP-T1-GE3TR-ND
Price: 75.7097 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIDR870ADP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIDR870ADP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIDR870ADP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIDR870ADP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIDR870ADP-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 95A (Tc) 125W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8DC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIDR870ADP-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 80 nC @ 10 V
Řada TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2866 pF @ 50 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 125W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SO-8DC
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 95A (Tc)	Pouzdro PowerPAK® SO-8
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu SIDR870
Rds zap (max) při Id, Vgs 6,6mOhm při 20A, 10V