
SIA975DJ-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIA975DJ-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIA975DJ-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIA975DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIA975DJ-T1-GE3 |
Popis | MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 49 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 12V 4,5A 7,8W Montáž na povrch PowerPAK® SC-70-6 duální |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SIA975DJ-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 P-kanál (duální) | |
Funkce tranzistoru FET | Hradlo logické úrovně | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 12V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 4,5A | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 41mOhm při 4,3A, 4,5V | |
Vgs(th) (max) při Id | 1V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 26nC při 8V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 1500pF při 6V | |
Výkon - max | 7,8W | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | PowerPAK® SC-70-6 duální | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerPAK® SC-70-6 duální | |
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 24,57000 Kč | 24,57 Kč |
| 10 | 15,37100 Kč | 153,71 Kč |
| 100 | 10,07060 Kč | 1 007,06 Kč |
| 500 | 7,79110 Kč | 3 895,55 Kč |
| 1 000 | 7,05638 Kč | 7 056,38 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 6,12302 Kč | 18 369,06 Kč |
| 6 000 | 5,65305 Kč | 33 918,30 Kč |
| 9 000 | 5,41361 Kč | 48 722,49 Kč |
| 15 000 | 5,14465 Kč | 77 169,75 Kč |
| 21 000 | 4,98542 Kč | 104 693,82 Kč |
| 30 000 | 4,83070 Kč | 144 921,00 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 24,57000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 29,72970 Kč |





