Name: SIA921EDJ-T4-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIA921EDJ-T4-GE3TR-ND
Price: 25.7246 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIA921EDJ-T4-GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SIA921EDJ-T4-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIA921EDJ-T4-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIA921EDJ-T4-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIA921EDJ-T4-GE3
Popis	MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 20V 4,5A 7,8W Montáž na povrch PowerPAK® SC-70-6 duální
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 P-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	4,5A
Rds zap (max) při Id, Vgs	59mOhm při 3,6A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1,4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	23nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	-
Výkon - max	7,8W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	PowerPAK® SC-70-6 duální
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SC-70-6 duální
Základní číslo produktu	SIA921