
SIA910EDJ-T1-GE3 | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIA910EDJ-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIA910EDJ-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIA910EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIA910EDJ-T1-GE3 |
Popis | MOSFET 2N-CH 12V 4.5A PPAK8X8 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 19 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 12V 4,5A 7,8W Montáž na povrch PowerPAK® SC-70-6 duální |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SIA910EDJ-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 N-kanál (duální) | |
Funkce tranzistoru FET | Hradlo logické úrovně | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 12V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 4,5A | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 28mOhm při 5,2A, 4,5V | |
Vgs(th) (max) při Id | 1V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 16nC při 8V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 455pF při 6V | |
Výkon - max | 7,8W | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | PowerPAK® SC-70-6 duální | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerPAK® SC-70-6 duální | |
Základní číslo produktu |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 12,50000 Kč | 12,50 Kč |
10 | 9,35300 Kč | 93,53 Kč |
100 | 6,67180 Kč | 667,18 Kč |
500 | 6,19568 Kč | 3 097,84 Kč |
1 000 | 5,59619 Kč | 5 596,19 Kč |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
3 000 | 5,12376 Kč | 15 371,28 Kč |
6 000 | 4,53178 Kč | 27 190,68 Kč |
9 000 | 4,25578 Kč | 38 302,02 Kč |
15 000 | 4,03626 Kč | 60 543,90 Kč |
21 000 | 3,90628 Kč | 82 031,88 Kč |
30 000 | 3,90563 Kč | 117 168,90 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 12,50000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 15,12500 Kč |