Name: SIA910EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA910EDJ-T1-GE3TR-ND
Price: 25.7367 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIA910EDJ-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIA910EDJ-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIA910EDJ-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIA910EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIA910EDJ-T1-GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Standardní dodací lhůta výrobce	28 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 12V 4,5A 7,8W Montáž na povrch PowerPAK® SC-70-6 duální
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIA910EDJ-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 28mOhm při 5,2A, 4,5V
Výrobce Vishay Siliconix	Vgs(th) (max) při Id 1V při 250µA
Řada TrenchFET®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 16nC při 8V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 455pF při 6V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 7,8W
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro PowerPAK® SC-70-6 duální
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 12V	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SC-70-6 duální
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 4,5A	Základní číslo produktu SIA910

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 1 068

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)