Name: SIA533EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA533EDJ-T1-GE3TR-ND
Price: 16.8916 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIA533EDJ-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIA533EDJ-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIA533EDJ-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIA533EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIA533EDJ-T1-GE3
Popis	MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 12V 4,5A 7,8W Montáž na povrch PowerPAK® SC-70-6 duální
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIA533EDJ-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	N a P-kanál
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	12V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	4,5A
Rds zap (max) při Id, Vgs	34mOhm při 4,6A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	15nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	420pF při 6V
Výkon - max	7,8W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	PowerPAK® SC-70-6 duální
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SC-70-6 duální
Základní číslo produktu	SIA533