Name: SIA413DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA413DJ-T1-GE3TR-ND
Price: 32.7305 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIA413DJ-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIA413DJ-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIA413DJ-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIA413DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIA413DJ-T1-GE3
Popis	MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Standardní dodací lhůta výrobce	15 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 12 V 12A (Tc) 3,5W (Ta), 19W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SC-70-6
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	12 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	12A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,5V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	29mOhm při 6,7A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	57 nC @ 8 V
Vgs (max)	±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1800 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,5W (Ta), 19W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SC-70-6
Pouzdro	PowerPAK® SC-70-6
Základní číslo produktu	SIA413