
SI9933CDY-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SI9933CDY-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI9933CDY-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI9933CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SI9933CDY-T1-GE3 |
Popis | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC |
Standardní dodací lhůta výrobce | 49 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 20V 4A 3,1W Montáž na povrch 8-SOIC |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SI9933CDY-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 P-kanál (duální) | |
Funkce tranzistoru FET | Hradlo logické úrovně | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 20V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 4A | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 58mOhm při 4,8A, 4,5V | |
Vgs(th) (max) při Id | 1,4V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 26nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 665pF při 10V | |
Výkon - max | 3,1W | |
Provozní teplota | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka) | |
Dodávaná velikost pouzdra | 8-SOIC | |
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 20,53000 Kč | 20,53 Kč |
| 10 | 12,79100 Kč | 127,91 Kč |
| 100 | 8,34190 Kč | 834,19 Kč |
| 500 | 6,42882 Kč | 3 214,41 Kč |
| 1 000 | 5,81226 Kč | 5 812,26 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 2 500 | 5,14429 Kč | 12 860,73 Kč |
| 5 000 | 4,73136 Kč | 23 656,80 Kč |
| 7 500 | 4,52098 Kč | 33 907,35 Kč |
| 12 500 | 4,28455 Kč | 53 556,88 Kč |
| 17 500 | 4,14461 Kč | 72 530,68 Kč |
| 25 000 | 4,10630 Kč | 102 657,50 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 20,53000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 24,84130 Kč |











