Name: SI9634DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI9634DY-T1-GE3TR-ND
Price: 33.3718 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI9634DY-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SI9634DY-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SI9634DY-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SI9634DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI9634DY-T1-GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 60V 6.2A 8SOIC
Standardní dodací lhůta výrobce	29 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 6,2A (Ta), 8A (Tc) 2W (Ta), 3,6W (Tc) Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI9634DY-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	6,2A (Ta), 8A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	29mOhm při 5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	11nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	420pF při 30V
Výkon - max	2W (Ta), 3,6W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOIC
Základní číslo produktu	SI9634