Name: SI8823EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8823EDB-T2-E1TR-ND
Price: 17.4119 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI8823EDB-T2-E1
Číslo produktu DigiKey	SI8823EDB-T2-E1TR-ND - Páska a cívka (TR) SI8823EDB-T2-E1CT-ND - Řezaná páska (CT) SI8823EDB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI8823EDB-T2-E1
Popis	MOSFET P-CH 20V 2.7A 4MICRO FOOT
Standardní dodací lhůta výrobce	38 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 20 V 2,7A (Tc) 900mW (Tc) Montáž na povrch 4-MICRO FOOT® (0,80x0,80)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 800mV při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 10 nC @ 4.5 V
Řada TrenchFET® Gen III	Vgs (max) ±8V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 580 pF @ 10 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 900mW (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20 V	Dodávaná velikost pouzdra 4-MICRO FOOT® (0,80x0,80)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 2,7A (Tc)	Pouzdro 4-XFBGA
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 1,5V, 4,5V	Základní číslo produktu SI8823
Rds zap (max) při Id, Vgs 95mOhm při 1A, 4,5V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 37 678

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)