SI7872DP-T1-GE3 Vishay Siliconix | Pole FET, MOSFET

SI7872DP-T1-GE3 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Direct

Vishay Siliconix

Skladem : 0

Jednotková cena : 51,66000 Kč

Similar

STMicroelectronics

Skladem : 8 547

Jednotková cena : 38,43000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI7872DP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI7872DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI7872DP-T1-GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO8
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 6,4A 1,4W Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 22mOhm při 7,5A, 10V
Výrobce Vishay Siliconix	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Řada LITTLE FOOT®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 11nC při 4,5V
Balení Páska a cívka (TR)	Výkon - max 1,4W
Stav součásti Zastaralé	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Konfigurace 2 N-kanál (polomůstkový)	Pouzdro PowerPAK® SO-8 duální
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SO-8 duální
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30V	Základní číslo produktu SI7872
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 6,4A

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (2)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
SIR770DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	0	SIR770DP-T1-GE3CT-ND	51,66000 Kč	Direct
STL40DN3LLH5	STMicroelectronics	8 547	497-11220-1-ND	38,43000 Kč	Similar

Zastaralý

Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.

SI7872DP-T1-GE3