Name: SI7450DP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7450DP-T1-E3TR-ND
Price: 99.4257 CZK
Availability: OutOfStock

SI7450DP-T1-E3 není skladem a lze jej zařadit do zpětné objednávky.

Dostupné náhrady:

Similar

Renesas Electronics Corporation

Skladem : 0

Jednotková cena : 0,00000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI7450DP-T1-E3
Číslo produktu DigiKey	SI7450DP-T1-E3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI7450DP-T1-E3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI7450DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI7450DP-T1-E3
Popis	MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Standardní dodací lhůta výrobce	38 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 200 V 3,2A (Ta) 1,9W (Ta) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI7450DP-T1-E3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 80mOhm při 4A, 10V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs(th) (max) při Id 4,5V při 250µA
Řada TrenchFET®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 42 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 1,9W (Ta)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 200 V	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SO-8
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 3,2A (Ta)	Pouzdro PowerPAK® SO-8
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Základní číslo produktu SI7450