Name: SI7430DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7430DP-T1-GE3TR-ND
Price: 105.4878 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI7430DP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI7430DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI7430DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI7430DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI7430DP-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Standardní dodací lhůta výrobce	38 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 26A (Tc) 5,2W (Ta), 64W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4,5V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 43 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1735 pF @ 50 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 5,2W (Ta), 64W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 150 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 26A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SO-8
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 8V, 10V	Pouzdro PowerPAK® SO-8
Rds zap (max) při Id, Vgs 45mOhm při 5A, 10V	Základní číslo produktu SI7430