Name: SI7370DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7370DP-T1-GE3TR-ND
Price: 101.6279 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI7370DP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI7370DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI7370DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI7370DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI7370DP-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Standardní dodací lhůta výrobce	38 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 9,6A (Ta) 1,9W (Ta) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI7370DP-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 11mOhm při 12A, 10V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Řada TrenchFET®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 57 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 1,9W (Ta)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SO-8
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 9,6A (Ta)	Pouzdro PowerPAK® SO-8
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu SI7370