Name: SI7272DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7272DP-T1-GE3TR-ND
Price: 51.7033 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI7272DP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI7272DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI7272DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI7272DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI7272DP-T1-GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 25A 22W Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI7272DP-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	25A
Rds zap (max) při Id, Vgs	9,3mOhm při 15A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	26nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1100pF při 15V
Výkon - max	22W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	PowerPAK® SO-8 duální
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8 duální
Základní číslo produktu	SI7272