Name: SI7157DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7157DP-T1-GE3TR-ND
Price: 65.0375 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI7157DP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI7157DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI7157DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI7157DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI7157DP-T1-GE3
Popis	MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Standardní dodací lhůta výrobce	38 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 20 V 60A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI7157DP-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1,4V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 625 nC @ 10 V
Řada TrenchFET®	Vgs (max) ±12V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 22000 pF @ 10 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 6,25W (Ta), 104W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20 V	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SO-8
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 60A (Tc)	Pouzdro PowerPAK® SO-8
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 2,5V, 10V	Základní číslo produktu SI7157
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,6mOhm při 25A, 10V