Name: SI7119DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7119DN-T1-GE3TR-ND
Price: 41.382 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI7119DN-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI7119DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI7119DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI7119DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI7119DN-T1-GE3
Popis	MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Standardní dodací lhůta výrobce	11 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 200 V 3,8A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI7119DN-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 25 nC @ 10 V
Řada TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 666 pF @ 50 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 3,7W (Ta), 52W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -50°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 200 V	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® 1212-8
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 3,8A (Tc)	Pouzdro PowerPAK® 1212-8
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Základní číslo produktu SI7119
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,05Ohm při 1A, 10V