Name: SI6562CDQ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI6562CDQ-T1-GE3TR-ND
Price: 42.1806 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI6562CDQ-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI6562CDQ-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI6562CDQ-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI6562CDQ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI6562CDQ-T1-GE3
Popis	MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 20V 6,7A, 6,1A 1,6W, 1,7W Montáž na povrch 8-TSSOP
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI6562CDQ-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 22mOhm při 5,7A, 4,5V
Výrobce Vishay Siliconix	Vgs(th) (max) při Id 1,5V při 250µA
Řada TrenchFET®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 23nC při 10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 850pF při 10V
Stav součásti Datum posledního nákupu	Výkon - max 1,6W, 1,7W
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace N a P-kanál	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro 8-TSSOP (0,173", 4,40mm šířka)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20V	Dodávaná velikost pouzdra 8-TSSOP
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 6,7A, 6,1A	Základní číslo produktu SI6562