Name: SI6423DQ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI6423DQ-T1-GE3TR-ND
Price: 67.8326 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI6423DQ-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI6423DQ-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI6423DQ-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI6423DQ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI6423DQ-T1-GE3
Popis	MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 12 V 8,2A (Ta) 1,05W (Ta) Montáž na povrch 8-TSSOP
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI6423DQ-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 8,5mOhm při 9,5A, 4,5V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs(th) (max) při Id 800mV při 400µA
Řada TrenchFET®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 110 nC @ 5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±8V
Stav součásti Datum posledního nákupu	Rozptylový výkon (Max) 1,05W (Ta)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 12 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-TSSOP
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 8,2A (Ta)	Pouzdro 8-TSSOP (0,173", 4,40mm šířka)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 1,8V, 4,5V	Základní číslo produktu SI6423