
SI4943CDY-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SI4943CDY-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI4943CDY-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI4943CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SI4943CDY-T1-GE3 |
Popis | MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC |
Standardní dodací lhůta výrobce | 38 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 20V 8A 3,1W Montáž na povrch 8-SOIC |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SI4943CDY-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 P-kanál (duální) | |
Funkce tranzistoru FET | Hradlo logické úrovně | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 20V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 8A | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 19,2mOhm při 8,3A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 3V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 62nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 1945pF při 10V | |
Výkon - max | 3,1W | |
Provozní teplota | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka) | |
Dodávaná velikost pouzdra | 8-SOIC | |
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 54,80000 Kč | 54,80 Kč |
| 10 | 35,25600 Kč | 352,56 Kč |
| 100 | 24,07840 Kč | 2 407,84 Kč |
| 500 | 19,29464 Kč | 9 647,32 Kč |
| 1 000 | 17,75696 Kč | 17 756,96 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 2 500 | 16,09320 Kč | 40 233,00 Kč |
| 5 000 | 15,06552 Kč | 75 327,60 Kč |
| 7 500 | 14,54226 Kč | 109 066,95 Kč |
| 12 500 | 14,49912 Kč | 181 239,00 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 54,80000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 66,30800 Kč |


