SI4940DY-T1-E3 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 9 997
Jednotková cena : 25,20000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 6 664
Jednotková cena : 28,35000 Kč
Katalogový list
Pole MOSFET 40V 4,2A 1,1W Montáž na povrch 8-SOIC
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI4940DY-T1-E3

Číslo produktu DigiKey
SI4940DY-T1-E3-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SI4940DY-T1-E3
Popis
MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8SOIC
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 40V 4,2A 1,1W Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Rds zap (max) při Id, Vgs
36mOhm při 5,7A, 10V
Výrobce
Vishay Siliconix
Vgs(th) (max) při Id
1V při 250µA (min.)
Řada
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
14nC při 10V
Balení
Páska a cívka (TR)
Výkon - max
1,1W
Stav součásti
Zastaralé
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Způsob montáže
Montáž na povrch
Konfigurace
2 N-kanál (duální)
Pouzdro
8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Funkce tranzistoru FET
Hradlo logické úrovně
Dodávaná velikost pouzdra
8-SOIC
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
40V
Základní číslo produktu
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
4,2A
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (2)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
IRF7103TRPBFInfineon Technologies9 997IRF7103PBFCT-ND25,20000 KčSimilar
NCV8402ADDR2Gonsemi6 664NCV8402ADDR2GOSCT-ND28,35000 KčSimilar
Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.