SI4936BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix | Diskrétní polovodičové produkty

SI4936BDY-T1-GE3 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

Rohm Semiconductor

Skladem : 0

Jednotková cena : 8,58335 Kč

Similar

Rohm Semiconductor

Skladem : 1 891

Jednotková cena : 56,84000 Kč

Similar

Diodes Incorporated

Skladem : 1 913

Jednotková cena : 36,63000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI4936BDY-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI4936BDY-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI4936BDY-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI4936BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI4936BDY-T1-GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 6,9A 2,8W Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Zastaralé
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	6,9A
Rds zap (max) při Id, Vgs	35mOhm při 5,9A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	15nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	530pF při 15V
Výkon - max	2,8W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOIC
Základní číslo produktu	SI4936