Pole MOSFET 12V 6,7A 1,1W Montáž na povrch 8-SOIC
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI4931DY-T1-GE3

Číslo produktu DigiKey
SI4931DY-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR)
SI4931DY-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT)
SI4931DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce
SI4931DY-T1-GE3
Popis
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Standardní dodací lhůta výrobce
63 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 12V 6,7A 1,1W Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
SI4931DY-T1-GE3 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
Vishay Siliconix
Řada
TrenchFET®
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace
2 P-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET
Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
12V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
6,7A
Rds zap (max) při Id, Vgs
18mOhm při 8,9A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id
1V při 350µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
52nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
-
Výkon - max
1,1W
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže
Montáž na povrch
Pouzdro
8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra
8-SOIC
Základní číslo produktu
SI4931
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 2 034
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
149,14000 Kč49,14 Kč
1031,51800 Kč315,18 Kč
10021,39280 Kč2 139,28 Kč
50017,05962 Kč8 529,81 Kč
1 00015,66619 Kč15 666,19 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
2 50014,49887 Kč36 247,18 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:49,14000 Kč
Jednotková cena s DPH:59,45940 Kč