Name: SI4931DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4931DY-T1-GE3TR-ND
Price: 71.5715 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI4931DY-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI4931DY-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI4931DY-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI4931DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI4931DY-T1-GE3
Popis	MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 12V 6,7A 1,1W Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI4931DY-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 P-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	12V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	6,7A
Rds zap (max) při Id, Vgs	18mOhm při 8,9A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 350µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	52nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	-
Výkon - max	1,1W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOIC
Základní číslo produktu	SI4931