
SI4909DY-T1-GE3 | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | SI4909DY-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI4909DY-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI4909DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SI4909DY-T1-GE3 |
Popis | MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SOIC |
Standardní dodací lhůta výrobce | 19 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 40V 8A 3,2W Montáž na povrch 8-SOIC |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SI4909DY-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 P-kanál (duální) | |
Funkce tranzistoru FET | Hradlo logické úrovně | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 40V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 8A | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 27mOhm při 8A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 2,5V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 63nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 2000pF při 20V | |
Výkon - max | 3,2W | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka) | |
Dodávaná velikost pouzdra | 8-SOIC | |
Základní číslo produktu |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 32,70000 Kč | 32,70 Kč |
10 | 20,66300 Kč | 206,63 Kč |
100 | 13,77700 Kč | 1 377,70 Kč |
500 | 10,82410 Kč | 5 412,05 Kč |
1 000 | 9,87342 Kč | 9 873,42 Kč |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
2 500 | 8,84475 Kč | 22 111,88 Kč |
5 000 | 8,20894 Kč | 41 044,70 Kč |
7 500 | 7,88518 Kč | 59 138,85 Kč |
12 500 | 7,81125 Kč | 97 640,62 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 32,70000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 39,56700 Kč |