
SI4909DY-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SI4909DY-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI4909DY-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI4909DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SI4909DY-T1-GE3 |
Popis | MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SOIC |
Standardní dodací lhůta výrobce | 24 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 40V 8A 3,2W Montáž na povrch 8-SOIC |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SI4909DY-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 P-kanál (duální) | |
Funkce tranzistoru FET | Hradlo logické úrovně | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 40V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 8A | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 27mOhm při 8A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 2,5V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 63nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 2000pF při 20V | |
Výkon - max | 3,2W | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka) | |
Dodávaná velikost pouzdra | 8-SOIC | |
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 33,05000 Kč | 33,05 Kč |
| 10 | 20,88200 Kč | 208,82 Kč |
| 100 | 13,92250 Kč | 1 392,25 Kč |
| 500 | 10,93842 Kč | 5 469,21 Kč |
| 1 000 | 9,97770 Kč | 9 977,70 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 2 500 | 8,93817 Kč | 22 345,42 Kč |
| 5 000 | 8,29564 Kč | 41 478,20 Kč |
| 7 500 | 7,96846 Kč | 59 763,45 Kč |
| 12 500 | 7,89375 Kč | 98 671,88 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 33,05000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 39,99050 Kč |










