Pole MOSFET 60V 5,3A 3,1W Montáž na povrch 8-SOIC
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI4900DY-T1-E3

Číslo produktu DigiKey
SI4900DY-T1-E3TR-ND - Páska a cívka (TR)
SI4900DY-T1-E3CT-ND - Řezaná páska (CT)
SI4900DY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce
SI4900DY-T1-E3
Popis
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 60V 5,3A 3,1W Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
SI4900DY-T1-E3 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
Vishay Siliconix
Řada
TrenchFET®
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Zastaralé
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace
2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET
Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
60V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
5,3A
Rds zap (max) při Id, Vgs
58mOhm při 4,3A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
20nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
665pF při 15V
Výkon - max
3,1W
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže
Montáž na povrch
Pouzdro
8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra
8-SOIC
Základní číslo produktu
SI4900
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 234
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Tento produkt se již nevyrábí a po vyčerpání skladových zásob nebude znovu naskladněn. Zobrazit Náhrady.
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT)
Množství Jednotková cena Celk. cena
137,68000 Kč37,68 Kč
1023,93400 Kč239,34 Kč
10016,06540 Kč1 606,54 Kč
Jednotková cena bez DPH:37,68000 Kč
Jednotková cena s DPH:45,59280 Kč