SI4900DY-T1-E3 Vishay Siliconix | Pole FET, MOSFET

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI4900DY-T1-E3
Číslo produktu DigiKey	SI4900DY-T1-E3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI4900DY-T1-E3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI4900DY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI4900DY-T1-E3
Popis	MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 5,3A 3,1W Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI4900DY-T1-E3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 58mOhm při 4,3A, 10V
Výrobce Vishay Siliconix	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Řada TrenchFET®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 20nC při 10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 665pF při 15V
Stav součásti Zastaralé	Výkon - max 3,1W
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60V	Dodávaná velikost pouzdra 8-SOIC
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 5,3A	Základní číslo produktu SI4900

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (9)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
SI9634DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	41 130	742-SI9634DY-T1-GE3CT-ND	29,41000 Kč	MFR Recommended
AO4828	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	785-1062-2-ND	5,01033 Kč	Similar
DMNH6042SSDQ-13	Diodes Incorporated	568	DMNH6042SSDQ-13DICT-ND	38,17000 Kč	Similar
SH8K32GZETB	Rohm Semiconductor	4 288	SH8K32GZETBCT-ND	51,10000 Kč	Similar
SH8K32TB1	Rohm Semiconductor	10 004	SH8K32TB1CT-ND	48,38000 Kč	Similar