Name: SI4816BDY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4816BDY-T1-E3TR-ND
Price: 64.2752 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI4816BDY-T1-E3
Číslo produktu DigiKey	SI4816BDY-T1-E3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI4816BDY-T1-E3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI4816BDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI4816BDY-T1-E3
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Standardní dodací lhůta výrobce	38 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 5,8A, 8,2A 1W, 1,25W Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI4816BDY-T1-E3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 18,5mOhm při 6,8A, 10V
Výrobce Vishay Siliconix	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Řada LITTLE FOOT®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 10nC při 5V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Výkon - max 1W, 1,25W
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Konfigurace 2 N-kanál (polomůstkový)	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Dodávaná velikost pouzdra 8-SOIC
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30V	Základní číslo produktu SI4816
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 5,8A, 8,2A