Name: SI4816BDY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4816BDY-T1-E3TR-ND
Price: 59.7377 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI4816BDY-T1-E3
Číslo produktu DigiKey	SI4816BDY-T1-E3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI4816BDY-T1-E3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI4816BDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI4816BDY-T1-E3
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Standardní dodací lhůta výrobce	19 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 5,8A, 8,2A 1W, 1,25W Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI4816BDY-T1-E3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	LITTLE FOOT®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (polomůstkový)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	5,8A, 8,2A
Rds zap (max) při Id, Vgs	18,5mOhm při 6,8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	10nC při 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	-
Výkon - max	1W, 1,25W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOIC
Základní číslo produktu	SI4816