Nastavení
Rychlé dodání
Dodávka zdarma
Incoterms
Typy plateb
Produkt služby Marketplace
SI4808DY-T1-E3 je k dispozici pro nákup, avšak není běžně skladem.
Dostupné náhrady:
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
SI4808DY-T1-E3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SI4808DY-T1-E3-ND - Páska a cívka (TR) |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SI4808DY-T1-E3 |
Popis | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 30V 5,7A 1,1W Montáž na povrch 8-SOIC |
Katalogový list | Katalogový list |
Vlastnosti produktu
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 N-kanál (duální) | |
Funkce tranzistoru FET | Hradlo logické úrovně | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 30V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 5,7A | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 22mOhm při 7,5A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 800mV při 250µA (min.) | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 20nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | - | |
Výkon - max | 1,1W | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka) | |
Dodávaná velikost pouzdra | 8-SOIC | |
Základní číslo produktu |
Manufacturer Quote Required
This product requires a manufacturer-approved quote before it can be ordered. Orders must meet the manufacturer’s standard package quantity, may be subject to extended lead times, and cannot be canceled or returned. Quotes are typically processed within 3–5 business days after submission.
Chcete-li požádat o cenovou nabídku, Přihlaste se nebo se Zaregistrujte
Česká republika