
SI4564DY-T1-GE3 | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | SI4564DY-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI4564DY-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI4564DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SI4564DY-T1-GE3 |
Popis | MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC |
Standardní dodací lhůta výrobce | 19 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 40V 10A, 9,2A 3,1W, 3,2W Montáž na povrch 8-SOIC |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SI4564DY-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | N a P-kanál | |
Funkce tranzistoru FET | Hradlo logické úrovně | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 40V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 10A, 9,2A | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 17,5mOhm při 8A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 2V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 31nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 855pF při 20V | |
Výkon - max | 3,1W, 3,2W | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka) | |
Dodávaná velikost pouzdra | 8-SOIC | |
Základní číslo produktu |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 31,45000 Kč | 31,45 Kč |
10 | 23,78800 Kč | 237,88 Kč |
100 | 17,27430 Kč | 1 727,43 Kč |
500 | 13,69740 Kč | 6 848,70 Kč |
1 000 | 12,74796 Kč | 12 747,96 Kč |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
2 500 | 11,30144 Kč | 28 253,60 Kč |
5 000 | 10,59455 Kč | 52 972,75 Kč |
7 500 | 10,54356 Kč | 79 076,70 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 31,45000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 38,05450 Kč |