SI4562DY-T1-GE3 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 2 040
Jednotková cena : 23,94000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 0
Jednotková cena : 27,30000 Kč
Katalogový list
Pole MOSFET 20V 2W Montáž na povrch 8-SOIC
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI4562DY-T1-GE3

Číslo produktu DigiKey
SI4562DY-T1-GE3-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SI4562DY-T1-GE3
Popis
MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 20V 2W Montáž na povrch 8-SOIC
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Rds zap (max) při Id, Vgs
25mOhm při 7,1A, 4,5V
Výrobce
Vishay Siliconix
Vgs(th) (max) při Id
1,6V při 250µA
Řada
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
50nC při 4,5V
Balení
Páska a cívka (TR)
Výkon - max
2W
Stav součásti
Zastaralé
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Způsob montáže
Montáž na povrch
Konfigurace
N a P-kanál
Pouzdro
8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Funkce tranzistoru FET
Hradlo logické úrovně
Dodávaná velikost pouzdra
8-SOIC
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
20V
Základní číslo produktu
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (2)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
SI4532CDY-T1-GE3Vishay Siliconix2 040SI4532CDY-T1-GE3CT-ND23,94000 KčSimilar
DMC2020USD-13Diodes Incorporated0DMC2020USD-13DICT-ND27,30000 KčSimilar
Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.