Name: SI4497DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4497DY-T1-GE3TR-ND
Price: 81.0458 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI4497DY-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI4497DY-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI4497DY-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI4497DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI4497DY-T1-GE3
Popis	MOSFET P-CH 30V 36A 8SO
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 36A (Tc) 3,5W (Ta), 7,8W (Tc) Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI4497DY-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 285 nC @ 10 V
Řada TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 9685 pF @ 15 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 3,5W (Ta), 7,8W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-SOIC
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 36A (Tc)	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu SI4497
Rds zap (max) při Id, Vgs 3,3mOhm při 20A, 10V